2T608B
russischer Silizium NPN Transistor; MIL-Norm 60V / 400 (800) mA / 500 mW / 200 MHz - nur noch geringer Restbestand -
2,65 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKP103M
J-FET; P-Kanal, 10V / 120mW nach MIL-Norm gefertigt, russische Produktion
2,25 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKP305D
- FET, N-Kanal; 15 V; 150mW - Transitfrequenz ca. 250 MHz - russische Produktion
1,95 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKP307A
- J-FET; N-Kanal - Grenzwerte: 25V / 25 mA / 250mW - Gehäuse TO72; russische Produktion
1,65 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT326; KT326BM
- Silizium NPN-HF-Transistor 20V / 200mW / Transitfrequenz 350 MHz - Vergleichstypen: 2SA522; 2N4034; BFX19; BFX13; 2SC1789
0,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT368; KT368AM
- Silizium NPN-HF-Transistor 15V / 250mW / Transitfrequenz 900 MHz - 3-PIN Ausführung - Vergleichstypen: BF597; 2SC1789
0,80 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT809; KT809A
- Silizium NPN-Leistungstransistor - Eckdaten: 40W, 400V, 3A - russische Produktion, massives Kupfergehäuse - NOS-Ware, gut ...
1,59 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT816; KT816B
- PNP-Leistungstransistor; Gehäuse TO-126 - 60 V, 1(3) A, 25 W - für allgemeine NF-Anwendungen und Komplementärendstufen - komplementär ...
0,25 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT817; KT817W
- NPN-Leistungstransistor, TO-220 Gehäuse - 40 V, 1(3) A, 25 W - für allgemeine NF-Anwendungen und Komplementärendstufen - Hersteller: ...
0,25 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKT837; KT837C
- PNP-Leistungstransistor; TO-220 Gehäuse - 60V / 7,5A / 30W - Hersteller: UdSSR - für allgemeine NF-Anwendungen, Komplementärendstufen ...
0,30 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandBestseller
Bausatz 50W-MOSFET-PA
( 50W Kurzwellen-Endstufe )
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25.05.2017 - DAFC; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "DAFC". Die Baugruppe kann in der Kategorie "Sonderangebote" ...mehr......
22.05.2017 - 50W-PA; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "50W-MOS PA". Die Baugruppe ist abgeglichen und geprüft. ...
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