KD367B
Silizium NPN-Darlington Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 100V / 8 A, max. Verlustleistung 60 W
1,00 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKD605
- NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. 40V/ 10 A, max. Verlustleistung 70 W - geeignet für Stabilisierungsschaltungen in Netzteilen ...
1,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKF173-TESLA
- Silizium NPN-HF-Transistor, 40V/ 25mA/ 260mW - für HF Breitbandverstärker; Transitfrequenz 550 MHz - Hersteller: TESLA - Vergleichstyp: ...
0,95 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandKU 612, KU612
- Silizium NPN-Leistungstransistor im TO66-Gehäuse - 80V / 3 A, max. Verlustleistung 10 W - Hersteller: TESLA - nagelneu und gut gelagert ...
0,65 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandMJ15003
Silizium NPN-Leistungstransistor MJ15003 140 V, 20 A, Gehäuse TO3 max. Verlustleistung 250 W
3,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandMJ15004
Silizium PNP-Leistungstransistor MJ15004 140 V, 20 A, Gehäuse TO3 max. Verlustleistung 250 W
2,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandTransistor KD366B
- Silizium PNP-Darlington Leistungstransistor im TO3-Gehäuse - Eckdaten: 100V / 8 A, max. Verlustleistung 60 W - Hersteller: TESLA
1,00 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandTransistor KU601
- NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse - Eckdaten: 60V/ 2A, max. Verlustleistung 10 W - Transitfrequenz max. 15 MHz - Hersteller: ...
0,75 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandTransistor KU605
- NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse - Eckdaten: 200V/ 10 A, max. Verlustleistung 50 W - Hersteller: TESLA
1,60 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandTransistor KU606
- NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse - Eckdaten: 60V / 8 A; max. Verlustleistung 50 W - Hersteller: TESLA
1,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.VersandBestseller
Bausatz 50W-MOSFET-PA
( 50W Kurzwellen-Endstufe )
News
25.05.2017 - DAFC; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "DAFC". Die Baugruppe kann in der Kategorie "Sonderangebote" ...mehr......
22.05.2017 - 50W-PA; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "50W-MOS PA". Die Baugruppe ist abgeglichen und geprüft. ...
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