KD366B
Silizium PNP-Darlington Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 100V / 8 A, max. Verlustleistung 60 W
1,00 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KD367B
Silizium NPN-Darlington Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 100V / 8 A, max. Verlustleistung 60 W
1,00 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KD605
NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. 40V/ 10 A, max. Verlustleistung 70 W. Ideal geeignet für Stabilisierungsschaltungen in Netzteilen ...
0,95 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KD606
NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. 60V/ 10 A, max. Verlustleistung 70 W. Robuster und hochwertiger Transistor - sehr gut als Längsregler ...
1,10 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KU 612
Silizium NPN-Leistungstransistor im TO66-Gehäuse. 50V / 3 A, max. Verlustleistung 10 W
0,55 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KU601
NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 60V/ 2A, max. Verlustleistung 10 W, Transitfrequenz max. 15 MHz
0,75 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KU605
NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 200V/ 10 A, max. Verlustleistung 50 W
0,75 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KU607
NPN-Leistungstransistor im TO3-Gehäuse. Eckdaten: 210V/ 10 A, max. Verlustleistung 70 W, Transitfrequenz 18 MHz.
0,85 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
KU611, KU 611
Silizium NPN-Leistungstransistor im TO66-Gehäuse. 50V / 3 A, max. Verlustleistung 10 W, Original-Ersatzteil.
0,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
MJ15003
Silizium NPN-Leistungstransistor MJ15003 140 V, 20 A, Gehäuse TO3 max. Verlustleistung 250 W
3,50 € inkl. gesetzl. MwSt. zzgl.Versand
Bestseller
Bausatz 50W-MOSFET-PA
Bausatz für eine MOSFET-Endstufe
News
25.05.2017 - DAFC; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "DAFC". Diese Baugruppe kann in der Kategorie ...mehr......
22.05.2017 - 50W-PA; aufgebaut Musteraufbau des Bausatzes "50W-MOS PA". Diese Baugruppe ist abgeglichen und geprüft. ...
mehr......